抹光刻胶、曝光和显影，和照相的原理类似。
涂抹光刻胶：在晶圆上绘制电路的第一步是在氧化层上涂覆光刻胶。光刻胶通过改变化学性质的方式让晶圆成为“相纸”。晶圆表面的光刻胶层越薄，涂覆越均匀，可以印刷的图形就越精细。
曝光：通过曝光设备来选择性地通过光线，当光线穿过包含电路图案的掩膜时，就能将电路印制到下方涂有光刻胶薄膜的晶圆上。
掩膜就是印有电路的铜板，光线通过雕刻的铜板可以印在晶圆上。
在曝光过程中，印刷图案越精细，最终的芯片就能够容纳更多元件，这有助于提高生产效率并降低单个元件的成本。在这个领域，后世备受瞩目的新技术是EUV光刻。
显影：曝光之后的步骤是在晶圆上喷涂显影剂，目的是去除图形未覆盖区域的光刻胶，从而让印刷好的电路图案显现出来。
知道了上面的光刻过程，刻蚀就好理解了，就是通过化学反应，把非电路部分洗掉
薄膜沉积，现在可以采用掺杂热扩散法，都是非常容易实现的工艺。
掺杂就是将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，获得精确的杂质分布形状。在一块单晶硅掺入磷后，就形成了N型半导体，掺有硼原子的半导体就是P型半导体。
热扩散法，就是在1000°的高温下，让要参杂的材料原子热扩散到半导体里，形成N型半导体或P型半导体。
互连，采用铝线扩散法，可以和上面工序采用同样的设备。
测试目前没有好办法，自能采用光学肉眼检测了。
封装就是所有芯片都从晶圆上分离后，我们需要将单独的芯片（单个晶片）附着到基底（引线框架）上。基底的作用是保护半导体芯片并让它们能与外部电路进行电信号交换。
用金线把芯片的电极和外部金属管脚相连，套如磨具，注入塑料溶液，冷却后就完成了封装工艺。
具体到光刻胶、显影剂和刻蚀溶液就可以让专业的人去完成。至于光刻设备和热处理设备，只能李国成设计和制造了。
知道后世的工艺过程就是这么流氓，直达目标，不走弯路。
只要走出第一步，就可以不断制造专用芯片，然后再升级工艺，提升芯片的成品率和降低制造成本。
现在西方还在摸索阶段，我们可以提前制造出相关设备，在生产中不断优化工艺，实现快速超车的目的。
做到这一步，就实现了李国成的
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