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第三百八十五章 技术难题

作品:我的老师是学霸作者:鸿尘逍遥
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这台设备你们也改良过了?”

“真的是什么都瞒不过你。”张主任摸摸自己的大光头,哈哈一笑,“这台设备和那块MOCVD一块改装的,顾律,我和你说……”

张主任又开始滔滔不绝的给顾律介绍这台设备的具体改装细节。

顾律边认真听边频频点头。

这些知识,是他之前很少接触过的。

他只知道这些设备的原型机内部是什么构造,运行机理是什么。

但面对这种改装后的设备,就双眼一抹黑了。

就在张主任在这边和顾律聊天的时候,一位研究员拿着一个文件夹脚步匆匆的向张主任走过来。

“张主任。”

研究员戴着圆框眼镜,地中海发型,由于戴着口罩,顾律判断不出具体的年纪。

但听声音,应该是三十多岁。

“哦,是方教授啊!”张主任视线落在那位研究员身上,笑呵呵的为顾律介绍道,“这位是我们半导体的研究中心的方庆教授,主要负责半导体掺杂调控这一部分的研究内容。”

“方教授,给你介绍一下,这位是隔壁数学院的顾律顾教授。”

“你好你好!”

“久仰久仰!”

两人简单的握了个手。

“方教授,你过来找我有什么事吗?”张主任笑呵呵的开口问道。

“哦。”方教授把手中的文件夹递给张主任,沉声开口,“张主任,最新一次的测量结果出来了。”

张主任结果文件夹,打开后扫了一眼,眉头紧紧皱起,“还是不行吗?”

方教授苦笑着摇摇头,“还是不行,我们还是没有找到证据证明,C杂质在GaN中的晶格位置。”

“唉!”张主任听后长叹口气,“这么久的努力,原来都是做了无用功啊!”

顾律在一旁看着长吁短叹的两人,犹豫了一下开口问道,“张主任,你们是遇到了什么难题了吗?”

张主任没有隐瞒。

“准确的说,不是我们研究所遇到了什么难题,而是整个宽禁带半导体领域都遇到了一个难题。”

张主任开始为顾律讲述起这个难题的详细情况。

在目前的半导体领域,掺杂调控是氮化物半导体材料和器件发展的关键科学和技术问题。

通过C掺杂获得半绝缘GaN是当前研制GaN基电子器件的主流方法。

但作为IV族元素,C杂质

…。。
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