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第1607章 多重曝光

作品:学霸的军工科研系统作者:十月廿二
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片差不多。”

虽然不完全准确,但足够生动,哪怕是外行也很容易理解。

“这里是我们给客户提供代工服务的主力区域。”黄炜指着几台正在运行的光刻机介绍:“除了满足国内IC设计公司的需求之外,我们也承接像德州仪器等国际厂商的部分订单。”

常浩南微微露出惊讶的表情,只是隔着面罩展现不出来。

“还有外国订单?”

“嗯,产品主要面向国内和中亚市场。”吴明翰解释道,“中低水平制程这块,我们流片的良率和速度都有优势。”

常浩南突然意识到,如今半导体产业的情况,要远比自己过去那条时间线上复杂得多。

介绍间,黄炜注意到常浩南的目光并未停留在运行中的量产设备上,而是投向了不远处一个被透明围挡隔开的区域。

那里同样属于光罩制作区,但周围聚集的技术人员更多,氛围也更显紧张和专注。

“常院士,那边是我们的研发攻坚区。”黄炜解释道,“您也看到了,生产和研发在光刻这个环节,很多时候是共用同一条线,设备和技术是互通的。”

“那边就是在尝试双重甚至四重曝光技术,目标是用我们现有的NXT:1950i DUV光刻机,向更小的特征尺寸发起冲击。”

常浩南的目光转向吴明翰:“这就是之前您提到的,良品率最低、成本最高的环节?”

吴明翰脸上浮现出复杂的神情。

他没有直接回答,而是引着常浩南走向该区域旁边一个专门的陈列台。

“常院士请这边看。”

陈列台上并非闪闪发光的成品芯片,而是整齐摆放着数十片晶圆。

乍看之下,它们与刚才看到的完成镀膜的晶圆似乎并无太大区别。

常浩南转向对方,等待着更进一步的说明。

吴明翰拿起靠近他的一片晶圆,指着上面几处微小的、肉眼几乎难以分辨的重影区域:“这就是‘套刻误差’导致的报废。在多重曝光中,第一次曝光形成的图案和第二次曝光需要精确对准。哪怕只有几纳米的偏差,迭加后整个电路就失效了。”

他放下这片,又拿起另一片,指着表面某些线条粗细明显不均的地方:

“这是‘关键尺寸偏差’,多次曝光、显影、刻蚀的累积效应,导致不同区域的线宽无法保持一致,超出了规格极限。”

他再拿起第三片:“这是‘显影缺陷’……工艺窗

…。。
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